2019年9月11日，時科SHIKUES盛大亮相2019越南国际电子元器件、材料及生产设备展览会(NEPCON Vietnam)。该展自2008年始办以来，每年举办一届，正在不断发展壮大，是越南电子领域最具影响力和代表性的展览会，时间：2019年9月11-13日地点：越南河内国际

为了提高电网的功率因数，减少干扰，平板电视的大多数电源都采用了有源PFC电路，尽管电路的具体形式繁多，不尽相同，工作模式也不一样(CCM电流连续型、DCM不连续型、BCM临界型），但基本的结构大同小异，都是采用BOOST升压拓扑结构。如下图所示，这是一典型的升压开关电源，基本的思

01米勒平台形成的基本原理MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但

MOS设计选型的几个基本原则建议初选之基本步骤：01电压应力在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压VDS的选择。在此上的基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的 90% 。即：VDS_peak ≤ 90% * V(BR)

一位工程师曾经对我讲，他从来不看MOSFET数据表的第一页，因为“实用”的信息只在第二页以后才出现。事实上，MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息。但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据。本文概括了一些MOSFET的关键指标，这些指标在数据表上是如

在电子产品的研发和生产的进程中，随着电子元器件的样品测试，小批量，大批量，数量不断的增加，“0缺陷”产品是不存在的，有缺陷却是一种必然。有缺陷并不可怕，大家最关心的是产品失效以后如何正确找出原因，确定失效机理，避免失效再次发生。今天和大家分享一些分立元器件的失效分析基本步骤和方法