SIC肖特基二极管优势SIC肖特基二极管应用于一些具有临界效率的电力电子器件中。与传统硅相比，碳化硅具有以下优点：碳化硅的间隙宽度Eg几乎是硅的三倍，约为3.26eV，而硅的间隙宽度Eg为1.12eV，因此碳化硅的反向电流低得多；碳化硅的临界击穿电场强度约为硅的9倍，为2.2MV

GaN 是第三代半导体材料的杰出代表，其在高频、大功率半导体芯片领域应用市场巨大； GaN基电子器件是电力电子和微波射频器件的“核芯”，是全球战略竞争新的制高点。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场，由于材料上的优势，GaN功率器件可以实

放大电路的核心元件是三极管，所以要对三极管要有一定的了解。用三极管构成的放大电路的种类较多，我们用常用的几种来解说一下（如图1）。图1是一共射的基本放大电路，一般我们对放大路要掌握些什么内容？（1）分析电路中各元件的作用；（2）解放大电路的放大原理；（3）能分析计算电路的静态工作

LDO基本原理LDO是Low Dropout Regulator的缩写，意思是低压差线性稳压器。低压差 是指输入电压-输出电压的值比较低。传统的线性稳压器压差高达2V，而LDO的压差只有几百mV。线性 是指PMOS基本处于线性工作状态（传统的线性稳压器是PNP原理，也工作在线性放

注意PCB布线中设计浪涌电流的大小在测试的时候，经常会碰到原先设计的 PCB 无法满足浪涌的需求。一般工程师设计的时候，只考虑到了系统功能性的设计，比如系统实际工作时只需承载1A 的电流，设计时就按这个去设计，但有可能系统需要的浪涌设计，瞬态浪涌电流要达到3KA（1.2/50us

​在時科不断发展壮大的过程中，为了更好的迎接未来的挑战，2020年9月6日，時科迎来了乔迁之喜，乔迁新址——深圳市龙岗区坂田街道天安云谷二期11栋2608-1、2609-2。以全新的姿态、昂扬的斗志，再次扬帆起航，驶向远方。此次乔迁新址，在1500平的办公室上不仅建起時科“形象”