SIC肖特基二极管优势

SIC肖特基二极管应用于一些具有临界效率的电力电子器件中。与传统硅相比，碳化硅具有以下优点：碳化硅的间隙宽度Eg几乎是硅的三倍，约为3.26eV，而硅的间隙宽度Eg为1.12eV，因此碳化硅的反向电流低得多；

碳化硅的临界击穿电场强度约为硅的9倍，为2.2MV/cm，而硅的临界击穿电场强度为0.25MV/cm。碳化硅半导体的掺杂浓度可以进一步增加，以减小其宽度，宽度与阻挡电压成正比。这意味着与硅基二极管相比，碳化硅二极管的阻抗将显著降低，热导率在3.0-3.8w/cmk之间，而硅的热导率为1.5w/cmk，这意味着相同表面积的半导体芯片的热阻会降低。

碳化硅的优势，其应用范围可以扩展到200V以上。对于不同的应用，碳化硅肖特基二极管具有以下优点：等效电容引起的反向恢复电荷很小，因此反向峰值电流经常出现在硅二极管中，几乎不再存在；无论负载电流或温度变化，反向充电引起的电流变化率di/dt低至零；工作结温可高于200℃。

時科SIC肖特基二极管新品

TO-252

1

Q-SSC0865

VRRM：650VIF@TC=133℃：8A

QC@VR=400V：34.2nC

EC@VR=400V:5.02μJ

Package:TO-252

2

Q-SSC1065

VRRM：650VIF@TC=128℃：10A

QC@VR=400V：26.5nC

EC@VR=400V:6.57μJ

Package:TO-252

3

Q-SSC1565

VRRM：650VIF@TC=127℃：15A

QC@VR=400V：37.9nC

EC@VR=400V:9.36μJ

Package:TO-252

TO-220-2L

1

Q-SSC0865-TF

VRRM：650VIF@TC=133℃：8A

QC@VR=400V：34.2nC

EC@VR=400V:5.02μJ

Package:TO-220-2L

2

Q-SSC1065-TF

VRRM：650VIF@TC=128℃：10A

QC@VR=400V：26.5nC

EC@VR=400V:6.57μJ

Package:TO-220-2L

3

Q-SSC1565-TF

VRRM：650VIF@TC=127℃：15A

QC@VR=400V：37.9nC

EC@VR=400V:9.36μJ

Package:TO-220-2L

SIC肖特基二极管的应用

時科新品肖特基可广泛应用于转换器、电焊机、逆变器、工业电源、安防电源、TV、医疗电源。利用具有独特性能的碳化硅作为器件材料，能制造出接近理想功能特性的升压二极管，并适合PFC应用中的各种功率级别。SiC肖特基二极管具有的无反向恢复电荷、反向特性与开关速度、温度和正向电流无关的特性均能减少PFC应用中的功率损耗。这对服务器和高端PC电源来说尤其重要，因为效率提高的要求变得越来越重要，特别是要满足80plus等法规要求时。